Prinsip Perancangan Gerbang Semikonduktor

Buku Prinsip Perancangan Gerbang Semikonduktor, Teori dan Proses Pembuatan menyajikan teori dasar yang diperlukan dan garis besar penjelasan teknik pembuatan gerbang semikonduktor. Sehingga pembaca dapat memperoleh gambaran umum bagaimana sebuah komponen aktif seperti transistor (disebut gerbang semikonduktor, atau dalam skala besar seperti komponen IC) dirancang dan diproses dari bahan dasar semikonduktor, misalnya silikon (Si) dan germanium (Ge) dan bahan lainnya. 

Komponen aktif dengan gerbang semikonduktor didalamnya misalnya IC telah memasuki teknologi skala dibawah 20 nano (tebal). Perkembangan pesat bidang semikonduktor merupakan salah satu tulang punggung yang menopang perkembangan teknologi perangkat/peralatan elektronik di masa mendatang karena hampir semua peralatan yang melekat teknologi didalamnya terdapat komponen aktif semikonduktor, terlebih-lebih mesin semacam super komputer yang berperan besar dalam bidang perancangan dan simulasi dengan kompleksitas tinggi. Dengan kata lain mesin mampu membantu menciptakan mesin lainnya dengan kecepatan lompatan dipercepat. 

Untuk menyingkat sajian, maka topik pembentukan lapisan dengan ketebalan nano meter, teknik pembentukan gerbang semikonduktor secara fisik (lipografik dan bahan foto resist) tidak dibahas disini, pembaca dapat mengacu ke buku seri teknologi nano untuk pembuatan layar sentuh, karangan penulis yang telah diterbitkan. 

Adapun isi buku ini mencakup antara lain : 

Persiapan Bahan Silikon

Pengantar Teori Gerbang Semikonduktor 

Persiapan Permukaan (aspek kontaminasi) 

Implantasi lon (pembentukan lapisan N-P) 

Difusi Dopant 

Oksida dan Dielektrik Gerbang